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新一代STT-MRAM将利用GF 12LP工艺 可断电保存数据

时间:2020-03-16 16:16:23       来源:快科技

GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究,读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存,但同时又是非易失性的,也就是可以断电保存数据,综合了传统内存、闪存的优点。

STT-MRAM则进一步通过自旋电流实现数据写入,具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点,只是容量密度提升困难,所以想取代内存、闪存暂时不现实,但非常适合用在各种嵌入式领域。

GF、Everspin的良好合作由来已久,2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的,单颗容量32MB,2019年的第二代则升级为GF 28nm,单颗容量翻了两番达到128MB。

就在日前,GF 22FDX工艺成功试产了eMRAM,-40℃到125℃环境下可工作10万个周期,数据保持可长达10年。

进一步升级到12nm,自然有利于进一步提升MRAM的容量密度,并继续降低成本,尤其是随着MRAM芯片容量的提高,迫切需要更先进的工艺。

GF 12nm工艺包括12LP、12LP+两个版本,虽然算不上多先进但也有广阔的用武之地,尤其适合控制器、微控制器等,比如群联电子、Sage的不少企业级SSD主控都计划加入eMRAM,从而提升性能、降低延迟、提高QoS。

虽然大家可能觉得没见过MRAM,不过Everspin宣称已经向100多家客户出货了1.25亿颗MRAM芯片,还援引报告称到2029年独立MRAM芯片销售额可达40亿美元。