至今拥有37年板卡经验的的梅捷，其600系主板最大的亮点是，从入门级的H610开始，均在供电上采用了DR.MOS!

DR.MOS技术早期属于服务器主板先进技术，三合一封装的DR.MOS面积是分离MOSFET的1/4，功率密度是分离MOSFET的3倍，增加了超电压和超频的潜力。

应用DR.MOS的主板能拥有节能、高效能超频、低温等特色。而目前，更多是只有中端或以上的主板才会在供电部分使用到这样DR.MOS。

经典B660M主板为230*205mm的MATX版型，整体外观设计采用波点矩阵和斜纹切割组合，为感觉沉稳的梅捷主板注入了轻时尚元素。

供电部分同样采用8+1相50ADR.MOS供电，外加1相VCC_AUX，共10相供电。

PWM方案采用RT3628AE，型号为SIC654的DR.MOS,单相最高支持50A供电电流，供电上方覆盖合金散热装甲。

内存方面，提供2根DDR4内存插槽，频率可以达到4200MHz，最大容量能够达到64GB。

主板提供1条PCIex16 4.0显卡插槽和1条PCIex1插槽和2个M.2插槽均为PCIe3.0通道，均支持nvme固态硬盘。

关键词：