东芝日前表示已确立大容量内存MRAM技术，并研发支持此技术的新型电子组件，未来MRAM的储存容量将朝GB等级迈进。

东芝以垂直磁化方式为主技术，另外研发一种0.13微米的自旋穿隧接面（Magnetic Tunneling Junction，MTJ）电子组件，将担负MRAM的储存功能，利用多重磁性层与绝缘层交迭的积层构造产生穿隧磁电阻（TMR），如此在读取数据时就不需反转自旋，属于非破坏性的读取方式。

这种读取方式已在11/5美国磁气国际会议3M中发表，也是全球首次在垂直磁化内存中得到验证的技术。会议中东芝公布以新研发的回旋注入磁化反转技术将MTJ电子组件尺寸缩小的技术，并确认它在MRAM中可稳定发挥功效。

垂直磁化方式是提升MRAM内存容量至GB等级的研发关键，东芝表示将持续研究相关素材与装配方式，数年内要整合各关键技术以确立此大容量技术的稳定性。