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集邦:3Q07 NAND闪存厂营收近三十九亿美元
[相较第二季成长36.8%]
2007年11月7日 电脑商网

电脑商网消息 2007年11月7日】根据集邦科技(DRAMeXchange)最新出炉的第三季NAND Flash营收市占率报告指出,NAND Flash品牌厂商在2007年第三季整体营收表现亮丽,逼近三十九亿美元,比第二季成长了36.8%;整体NAND Flash位出货量相较于第二季成长约30%;而就营收排行而言,三星(Samsung)如预期再度蝉连冠军,东芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特尔(Intel)营收均有显著的成长。

2007年11月6日---由于第三季为传统NAND Flash下游客户的备货旺季,加上三星八月初突发的停电事件影响,造成NAND Flash市场供应吃紧,使得第三季NAND Flash均价上涨约5%以上。虽然厂商在第三季有提高NAND Flash的投片量及MLC的生产比重,但由于部份NAND Flash厂商5X nm新制程仍处在调整期阶段,因此整体的位出货量,比第二季成长约30%。

注: Qimonda 3Q07已暂时停止销售Twin Flash产品

前三名NAND Flash厂商整体营收市占率为87.1%,市场集中度仍然很高

三星NAND Flash在第三季的营收市占率为39.8%,虽比第二季的44.3%稍微下滑,但仍然稳坐NAND Flash厂的营收龙头 。由于三星的器兴(Giheung)厂区在八月初发生停电的突发事件,使产出量稍微受到影响,加上50 nm新制程技术在第三季仍处于调整期,因此NAND Flash位出货量仅较第二季成长约3%,但因为SLC与MLC的价格都有明显的上涨,因此营收仍比第二季成长了22.9%,约十五亿五千万美元。
 
位居亚军的东芝,在第三季NAND Flash营收市占率为24.9%,与第二季相近,主因是东芝持续增加了12”Fab 3 NAND Flash的投片量及制程技术的提升,使得出货量仍然持续增加,因此营收仍比第二季成长了36.1%,约九亿七千万美元。

第三名的海力士在第三季的营收市占率为22.4%,比第二季的16.9%明显提高,主要是因为海力士在第三季将12”Fab M10也投入NAND Flash的生产,使得第三季的位出货量大幅成长92%。虽因促销策略使第三季NAND Flash均价小跌约6%,但NAND Flash整体营收仍比第二季增加81.1%,达到八亿七千万美元。

IM Flash成绩亮眼,营收QoQ大幅成长

英特尔与美光合资的IM Flash在第三季受惠于NAND Flash价格持续上涨 ,NAND Flash投片量及制程技术的持续提升,带动美光与英特尔的NAND Flash营收分别都比第二季大幅成长达73.7% 及77.8%,所以第三季的营收市占率也分别上升到6.1%及2.5%。

意法半导体(STMicro)在第三季因来自MCP(多芯片封装技术)的相关应用业务仍持续增加,使得NAND Flash营收成长约12.2%,意法半导体的营收市占率则为2.4%。同时2007年底前,意法半导体也计划与英特尔合资成立Numonyx来生产Flash memory的产品。

瑞萨(Renesas)因策略上自2007年起将会持续降低自有AG-AND Flash的生产比重,并转由合作伙伴力晶为其代工,所以瑞萨/力晶阵营营收比第二季下滑约33.9%,而瑞萨/力晶第三季的营收市占率则为2.1%,同时力晶在今年第四季将会开始生产NAND Flash新产品.
注:MCP(Multi-chip packaging)多芯片封装技术,封装Flash多用在手机上。

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